|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and Characterization of SiGe on c-Plane Sapphire Using a Chemical Vapor Deposition System |
| Auteur: |
Sabbar, Abbas Grant, Joshua M. Grant, Perry C. Dou, Wei Alharthi, Bader Li, Baohua Yurtsever, Fatma Ghetmiri, Seyed Amir Mortazavi, Mansour Naseem, Hameed A. Yu, Shui-Qing Mosleh, Aboozar Chen, Zhong |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 49 () nr. 8 pagina's 4809-4815 |
| Jaar: |
2020-05-22 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |