|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 45 gevonden artikelen
| Titel: |
Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD) |
| Auteur: |
Subramanian, Baskaran Anandan, Mohanbabu Veerappan, Saminathan Panneerselvam, Murugapandiyan Wasim, Mohammed Radhakrishnan, Saravana Kumar Pechimuthu, Praveen Verma, Yogesh Kumar Vivekanandhan, Subash Navaneethan Raju, Elamurugan |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 49 () nr. 7 pagina's 4091-4099 |
| Jaar: |
2020-04-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 45 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |